编者按：ASML的EUV光刻机光源获得严重技能晋级，包含EUV搜集镜寿数超越1年、可用性超越95%、最新光刻机NXE:3600D的单日曝光晶圆数量比2019年添加300%。
2023年伊始，各种世界光刻会议康复线下活动，光刻范畴的精英们开端陈述一切的范畴的前沿发展，那咱们一同盯梢一下世界EUV光刻技能的一些发展吧。
2023年3月2日，ASML团队在世界光子学会的“高档光刻和图画化”会议上介绍了极紫外EUV光刻光源的最新发展，咱们的视点来看一下EUV光刻光源近几年的晋级状况。
2023年3月2日，ASML团队在世界光子学会的“高档光刻和图画化”会议上介绍了极紫外EUV光刻光源的最新发展
陈述人Karl Umstadter是Cymer的高档工程师，其本行是等离子体物理，从前研讨核聚变等离子体的。
Karl 2013年参加Cymer团队，其时也正是EUV光刻兴起的关键时期，前期参加EUV光源的杂质（Debris）整理体系，现在现已是ASML的高档首席产品体系工程师。
1，在ASML的第一代EUV光刻体系（NXE渠道），EUV光源的发生器（Source vessel）安装在右下方；给EUV光源的激光器则安装在晶圆厂的基层。
在ASML的第一代EUV光刻体系（NXE渠道），EUV光源的发生器安装在右下方
2，在EUV发生器内部，首要进行的是激光脉冲炮击Sn的液滴（Sn droplets），发生的EUV光被搜集镜搜集聚集（Collector optics）、并传送到EUV光刻机的光学部分。
因为激光脉冲炮击Sn液滴时，会发生各种杂质（Debris）污染搜集镜、导致搜集镜的EUV反射率衰减，所以EUV发生器需求定时整理。因而曩昔十年，Karl团队的首要作业之一便是提高EUV发生器的可用性。
在2017年的时分，EUV搜集镜反射率的衰减率大约是每十亿次炮击下降0.4%；到2019年，衰减率下降到0.15%；到2021年，衰减率现已下降到0.04%，最近最好的成果现已小于0.02%，这在某种程度上预示着EUV搜集镜寿数能超越1年。
2019年，ASML报导的EUV发生器的可用性是81%，之后在2020年进行严重改善，一举将可用性提高到91%。之后又在2021年和2022年相继提高到94%和95.5%。
跟着EUV光刻光源功率和安稳才能的提高，EUV光刻机的产能也得到较大起伏的提高，2022年的最新类型NXE:3600D的单日曝光晶圆数量，现已从2019年的1000片左右提高到3000片左右。
依据ASML的技能道路的晶圆曝光剂量下，NEX:3600D的出产功率是160 wph（每小时曝光晶圆数），而进一步晋级的NEX:3800E和NXE:4000F机台的出产功率是220 wph 和 250 wph，这就依赖于EUV光源功率的逐渐提高。
