金融界 2024 年 12 月 25 日音讯，国家知识产权局信息数据显现，安徽格恩半导体有限公司请求一项名为“一种 GaN 基大功率蓝光激光器的芯片结构”的专利，公开号 CN 119171180 A，请求日期为 2024 年 9 月 。
专利摘要显现，本发明提出了一种 GaN 基大功率蓝光激光器的芯片结构，包含衬底和外延层，所述外延层设置于所述衬底的上层，所述外延层的第一腔面外表镀有减反射层，第二腔面外表镀有高反射层，所述减反射层包含在第一腔面外表顺次镀设的第一子减反射层、第二子减反射层和第三子减反射层，所述外延层和减反射层的模仿光场散布的电场强度具有多个峰值电场强度和多个谷值电场强度。本发明可以下降激光器的阈值电流，提高激光器的光电转化功率。
