长光华芯自2010年起布局高速光通信芯片范畴，具有完好的光通信工艺渠道和量产产线，包括芯片规划、外延成长、台面刻蚀、氧化工艺、电镀金、功能测验等，致力于高速率光通信芯片的规划、研制、出产及出售。此外，长光华芯选用IDM形式，构建了砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）和氮化镓（GaN）三大资料系统，具有边发射和面发射两大芯片结构技能和工艺出产渠道。
此次展会，长光华芯将要点展现CWDFB激光器，该产品能完成100mW输出光功率，并容易向下兼容70mW输出光功率，技能才能和海外大厂坚持同步，100mW的输出光功率才能可认为硅光PIC芯片的功能提高预留空间，如硅光PIC芯片添加更多的DFx功能规划，硅光PIC芯片优化插损后1颗光源完成1拖8的架构（如硅光DR8模块计划）。
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