近几十年以来，伴随着大数据、传感器、云应用等多种新兴技术的加快速度进行发展，数据流量也呈现出指数级增长的态势。（编者注：数据流量指的是通过计算机网络传输的数据量，一般用比特或字节等单位做衡量。）
使用电子电路的传统集成电路，通过摩尔定律推动电子器件的体积缩小、性能增加，从而推动数据流量的进一步增长。
根据摩尔定律，电子器件上可以容纳的晶体管数量，大概每两年增加一倍。而数据流量的不断激增，给电子器件的带宽、速度、成本和功耗等诸多方面都带来了较大的挑战。
此时，使用光子或光粒子将光与电子进行结合的光子集成电路，尤其是硅基光电子器件，因能够建立高速、低成本的连接，并实现对大量数据的一次性处理，在数据通信领域具有非常明显优势。
从硅基光电子学技术目前的发展来看，以硅材料为基础的微电子器件已经可处理被动光学功能，但却很难有效地完成主动任务，比如产生光（激光）或检测光（光电探测器）等数据生成和读取时要使用到的关键步骤。
那么，要想在完成主动功能的同时增强器件的性能，就必须在硅基底上集成 III-V 族半导体化合物，也就是元素周期表中 III 族和 V 族的材料。
近期，来自香港科技大学的研究助理教授和该校（Kei-May Lau）教授，带领团队设计出一种名为横向纵横比捕获（lateral aspect ratio trapping，LART）的方法。
据介绍，其作为一种选择性直接外延生长的技术，能够在不需要厚缓冲层的条件下，在绝缘的硅衬底（silicon-on-insulator，SOI）上，横向选择性地生长 III-V 族材料。
基于该技术，研究人员在 SOI 晶圆上制造了 III-V 分布式反馈激光器，能与硅层呈共平面配置，实现 III-V 族激光器与硅波导之间的高效耦合。
另外，这种特殊的 III-V 族绝缘层结构，还为激光器提供了良好的光学约束。
据了解，该光泵浦分布式反馈激光器具有约 17.5µJcm -2 的低激光阈值、1.5µm 的稳定单模激光、超过 35dB 的边模抑制比和 0.7 的自发辐射系数。
这些数据结果也充分表明，单片生长激光器在晶圆级硅光子集成电路方面迈出了重要一步，或将推动集成硅基光电子学领域的发展。
近日，相关论文以《在（001）SOI 上选择性生长的面内 1.5µm 分布式反馈激光器》（）为题在 Laser & Photonics Reviews 上发表，并被选为期刊封面[1]。是第一作者，担任通讯作者。
“我们的方法解决了 III-V 族器件与硅的不匹配问题，实现了 III-V 族器件的优异性能，并使 III-V 族器件与硅的耦合变得更高效。”对媒体表示。
不过，需要说明的是，虽然该技术有望在传感和激光雷达、生物医学、人工智能、神经和量子网络等研究领域获得应用，但要想将它更好地应用于真实的生活，还必须克服一些关键的科学挑战。
因此，基于目前的研究，该课题组打算从高输出功率、长寿命、低阈值、高温下工作等维度入手，逐渐增强与硅波导集成的 III-V 族激光器的能力。
另外，值得一提的是，目前的研究兴趣大多分布在在集成光子学、电子光子集成电路、硅光子学、纳米光子学等领域，并已经在以高效、可扩展和低成本的方式，缓解基于硅的光子集成电路的性能限制方面，做出了重要突破与创新。
基于此，她曾在近期荣获 2023 年 Optica 基金会挑战赛资助的 10 万美元奖金，该奖项旨在表彰 10 名在利用光学和光子学，并解决全球问题方面具有杰出想法的早期职业专业技术人员。显而易见，这笔资助将有利于推进她接下来的研究。
