在1948年的呈现，从1950年至1970年代初，锗晶体管开展迅速，尔后从发达国家开端逐步筛选，到1980年，跟着高纯硅的制造流程与工艺逐步老练，几乎在整个世界范围彻底被硅晶体管所替代。
2，直接带隙，在光电子使用中十分高效，由于电子能够直接跃迁，一起开释光子，比方LED，激光器中。
长处：具有宽禁带宽度，高击穿电压和高热导率。适用于高温、高功率和高频使用。
代表资料：氧化镓（Ga2O3）、金刚石（C）、氮化铝（AlN）和氮化硼（BN）等
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、那个时候，我们还都乐意共享。 无论是在德国慕尼黑仍是在美国，一切的学术会议，我们都会把自己的主意在会议上很开心肠公布出来。20世纪50年
STPower硅碳化物(SiC)MOSFET技能，标志着在高效能和高功率密度范畴的又
STPower硅碳化物MOSFET技能 /
和绝缘体之间的资料，具有共同的电学性质，是电子工业中不可或缺的根底资料。跟着科学技能的前进和工业的开展，
潜力无限 /
的差异 /
的比赛与比赛 /
个年代——IDM 开始，晶体管是在贝尔实验室创造的，紧接着，德州仪器 (TI)做出了
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