在近年来，半导体技术的快速的提升引发了广泛关注，特别是氮化镓（GaN）基激光器的崛起，给众多行业带来了革命性的变化。2024年12月14日至15日，由中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会主办的氮化镓基激光器关键技术研讨会在江西南昌成功举办。对此次会议的关注，展现了氮化镓材料在激光器领域的主体地位和应用前景。
随着科技的迅猛发展，氮化镓基激光器已成为重要的研究领域，它们大范围的应用于通信、照明和医疗等多个角度。此次研讨会不仅汇聚了来自行业科研院所和主要企业的近60位专家学者，还为推动氮化镓半导体的创新发展提供了重要的平台。会议期间，中国科学院院士江风益教授在开幕式上发表了欢迎辞，指出在推动这一领域发展方面，专家们需要深入交流与探讨，形成具有实质性价值的共识。
事实上，随着氮化镓激光器在社会各个层面的广泛应用，它的研究进展日益引人注目。会上，许多专家从不同角度分析了当前氮化镓激光器技术所面对的挑战与困境。例如，衬底材料的选择、外延生长技术的优化，以及器件性能的提升，都成为专家们探讨的热点议题。徐科和康俊勇教授分别主持了14日下午的报告环节，邀请了10位业内顶尖专家分享各自的研究成果。
在这次研讨会上，讨论的内容涵盖了从衬底、外延到应用等全链条的技术问题。专家们不仅提出了各自的观点，还对目前存在的问题给出了可行的解决方案。这种开诚布公的讨论氛围使得会中意见碰撞频繁，激发出更多富有创造性的想法，推动了场内各方的深入交流。参与讨论的杨辉研究员对此次会议的整体安排和报告质量给予了高度评价，认为会议取得了良好的成效。
更为重要的是，本次研讨会的举行，对行业内氮化镓激光器领域的未来发展具有深远的影响。郑婉华院士在会议总结中指出，作为我国首个聚焦氮化镓基激光器领域的全国性研讨会，此次会议不仅彰显了专业委员会的组织凝聚力，也为该领域更高质量的发展注入了新的动力。
氮化镓基激光器的持续发展，将直接推动相关行业的技术进步，并在未来的商业竞争中占得先机。尤其是随着环保政策的日益严格，氮化镓激光器以其较低的能耗和高效能，将在能效改善上展现出其独特优势。由此，激光器市场的演变，将愈发成为投资者的关注焦点与企业布局的优先选择。
最后，来自半导体显示材料与芯片重点实验室及各大企业的鼎力支持，为会议的成功举办提供了保证。而专委会副主任委员陈志涛教授表示，未来还将继续组织系列专题研讨会，紧扣行业发展的痛点与新技术的涌现。通过这样的交流，非常有可能为国家在相关产业的政策制定提供坚实的理论依照和技术支持。
在引领创新发展的时代背景下，氮化镓基激光器的技术探讨研究将无疑迎来更为广阔的发展空间。通过此次研讨会的积极推动，可预见在不久的将来，氮化镓材料的应用将极大重塑行业格局，连接更科学、更美好的未来。因此，行业从业者和广大投资的人要紧紧把握这个技术革新的契机，不断的提高自身的竞争力，迎接氮化镓基激光器带来的新机遇。返回搜狐，查看更加多
