- 薄膜沉积设备CVD和PVD多线并举，国内设备厂应在量大面广的PECVD、ALD以及PVD领域加强研发与量产；
- 在下游晶圆厂扩产增效、逻辑芯片代工厂先进产线D NAND技术普及等，均将逐步推动薄膜沉积设备的行业空间扩容，并对薄膜工艺和材料的精密化、多样化要求催生更多行业增长点，为国产替代提供新契机；
- 半导体设备的国产化是一大系统工程，国内薄膜沉积设备厂商要从加强研发开始，注重专利池，同时也需要代工厂在供应链环节，给予国内设计厂商更多的验证与试错机会，并借力并购来持续不断的发展壮大。
实现我国半导体产业链的自主可控，半导体设备可谓至关重要，必然的联系芯片设计能否落成实物、产品可靠性和良率能否达到设计标准、国内行业能否参与全球竞争。而晶圆制造是半导体制作的完整过程中最关键也是最复杂的环节，占比为80%左右。据预测，今年全球半导体设备市场规模预计将达到953亿美元，其中817亿美元来自制造设备。
晶圆制作的完整过程包括数百道工艺流程，涉及数十种半导体设备，要通过热处理、薄膜沉积、涂光刻胶、曝光、烘焙、显影、刻蚀等一系列步骤的循环往复，其中光刻机、刻蚀机、薄膜沉积设备的技术难度最大，价值量占比最高，可谓是三大剑客，占据70%以上的市场。
薄膜沉积设备可以说牵一发而动全身。当前，我国半导体设备依旧高度依赖于海外企业，并且在核心技术和零部件上受到一定的限制。而中国作为半导体设备的重要市场，随着各地半导体项目的林立，晶圆代工厂的产能扩建热潮以及自主可控进程的推进，薄膜沉积设备厂商也迎来了快速成长和突破的新黄金期。
作为制作的完整过程中的一个重要环节，薄膜沉积指在半导体的主要衬底材料“硅”上镀一层膜，这层膜能够使用各种各样的材料，如绝缘化合物二氧化硅、多晶硅、金属铜等等，用来镀膜的这一设备就叫薄膜沉积设备。
根据工作原理不同，薄膜沉积工艺可分为物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)两大类。随着制程精进，要沉积的层更多，薄膜沉积设备市场空间在不断扩大。
PVD是在真空条件下，采用物理方法，通过加热或溅射过程将固态材料气态化，然后使蒸汽在衬底表面凝结形成固态薄膜，多应用于金属的沉积。PVD工艺在经历了不断的演变之后，由于溅射设备制备的薄膜更加均匀、致密，对衬底附着性强，纯度更高，因而溅射路线成为主流。
CVD是指通过气体混合的化学反应在硅片表面沉积薄膜的工艺，可应用于绝缘薄膜、多晶硅以及金属薄膜的沉积。根据反应条件的不同又分为常压CVD（APCVD）、低压CVD（LPCVD）、等离子体增强CVD（PECVD）、高密度等离子体CVD（HDPCVD）以及原子层沉积（ALD）。APCVD主要使用在在二氧化硅和氮化硅的沉积，LPCVD主要使用在于多晶硅、二氧化硅及氮化硅的沉积。PECVD通过等离子产生的自由基来增加化学反应速度，可通过相比来说较低的温度达到较高的沉积速率，大范围的应用于氧化硅、氮化硅、低k、ESL和其他电介质薄膜沉积。
从市场需求来看，由于薄膜沉积工艺中CVD技术路线较多，具备比较好的孔隙填充和膜厚控制能力，CVD在金属沉积方面的应用正在增加。据Gartner统计，CVD始终是应用最广的沉积设备，市场空间近90亿美元，占沉积设备整体市场占有率的64%。其中，等离子体CVD与原子层沉积ALD成为最主流的CVD技术，分别占到34%和13%的市场占有率。PVD的应用仅次于CVD，2020年溅射PVD设备的市场空间达到近30亿美元，占比21%，应用仅次于等离子体CVD。
要注意的是，一方面，PECVD 正成为化学气相沉积的主流技术。引入等离子体可大大降低沉积工艺的热预算，同时提升了沉积速率和对高深宽比孔隙的填充能力，使用等离子体的化学沉积工艺包括PECVD、HDPCVD 等。另一方面，ALD在膜层的均匀性、阶梯覆盖率以及厚度控制等方面都有着非常明显的优势，在铜种子层、高K栅介质淀积等工序中发挥着重要的作用，是新一代纳米级CVD工艺。
据Gartner统计，2020年全球薄膜沉积设备市场空间约140亿美元，占晶圆厂设备投资额的25%。到2024年PECVD和ALD将分别占据CVD设备市场的51%和19%。
随着5G、AI、云计算和汽车电子端的旺盛需求，加上应对全球缺芯以及加强制造业回流之举，全球晶圆厂进入新一轮扩产周期，FAB厂商也在不断上调资本开支预期。2021年半导体设备投资额有望实现30%以上增速。根据SEMI报告，预测全球半导体制造设备市场2021年全年将增长34%达到953亿美元，2022年有望再创新高突破1000亿美元大关。此外，受益于大陆晶圆厂扩产增效，2020年大陆半导体设备销售额187.2亿美元，同比增长39%，首次超过中国台湾地区成为全世界第一大半导体设备市场，占全球份额由2016年的16%升至26%。
同时，随着产线的逐渐升级和先进制程产线占比提高，晶圆制造的复杂度和工序量都极大的提升，对薄膜沉积设备数量和性能的需求将继续随之提升。据Gartner数据，预计到2024年用于7nm以下制程的半导体设备出货量占比有望突破30%。以SMIC的180nm的8英寸产线英寸产线为例，在实现相同芯片等效产能的情况下，对薄膜沉积设备的需求量将相应增加4-5倍。
特别要指出的是，对于制程在14nm及以下的逻辑器件，由于广泛使用的浸没式光刻机受到波长限制，加工将通过等离子体刻蚀和薄膜沉积的工艺组合，即多重模板效应来实现，这将使得相关薄膜设备的加工步骤增多，薄膜设备厂商将充分受益。而且，在闪存方面，随着主流制造工艺已由2D发展为3D结构，其堆叠层数与薄膜工序直接挂钩，随着3D NAND的内部层数不断增高，对于薄膜沉积设备的需求提升的趋势亦将延续。
展望未来，在下游晶圆厂扩产增效、逻辑芯片代工厂先进产线D NAND技术普及等，均将逐步推动薄膜沉积设备的行业空间扩容。而且并对薄膜工艺和材料的精密化、多样化要求将催生更多行业增长点，为国产替代提供契机。
更要注意的是，先进制程下对薄膜工艺和材料的精密化、多样化要求将催生更多行业增长点，产生各种薄膜沉积工艺设备份额的变化，并为国产替代提供契机。在薄膜性能方面，先进制程的前段工艺对薄膜均匀性、颗粒数量控制、金属污染控制的要求慢慢地提高，在设备种类方面，薄膜厚度控制精准的ALD等设备将被更多地引入产线。
集微咨询（JW insights）认为，在这一大趋势下，全球半导体薄膜沉积设备市场规模将因此快速地增长，中国薄膜沉积设备行业将保持高成长性，未来市场规模将向两三百亿美元迈进。
从市场格局来看，以应用材料、泛林半导体、东京电子为代表的海外半导体设备供应商由于起步较早，具备雄厚的研发实力和全面的产品谱系，在薄膜沉积尤其是CVD和PVD设备市场占有较大的份额，垄断格局较为明显。
据Gartner统计，2020年应用材料、泛林半导体、东京电子在全球沉积设备的市场占有率分别达到43%、19%和11%。应用材料产品谱系最为全面，PVD 设备独占 85%细分市场占有率，在等离子体CVD中也有近49%的份额；泛林半导体在CVD及沉积后处理工艺布局全面，ECD设备一家独大；东京电子以11%占有率位列第三，在管式CVD设备市场占有率达46%，APCVD、LPCVD 及 ALD 均处在行业前列。此外，半导体设备巨头ASMI则在适用于先进制程的ALD具备较强的技术储备，在相应细分市场占有率46%。
相较于国内设备市场扩容速度，国产化率仍处在较低水平，未来薄膜沉积设备国产替代具备广阔空间。
据集微咨询（JW insights）不完全统计，在CVD领域，主要厂商有北方华创、中微半导体、拓荆科技、中电科48所、中晟光电、沈阳科仪等，PVD领域相对较少，主要有北方华创、中电科48所、沈阳科仪、创世威纳等。
北方华创在CVD、PVD等相关设备领域已取得多项突破，覆盖了90-14nm多个制程。在PVD设备方面，北方华创突破了多项关键技术，建立了具有自主知识产权的核心技术优势，并成功进入国际供应链体系。在CVD设备方面，先后完成了PECVD、APCVD、LPCVD、ALD等设备的开发，凭借优秀的工艺性能和产能优势，在国内外客户获得批量应用。此外，在ALD设备方面也实现了零的突破。
拓荆科技则发力PECVD、ALD和SACVD三大类设备，已大范围的应用于国内晶圆厂14nm及以上制程集成电路制造产线nm及以下制程的验证测试。ALD设备在国内处于领头羊，同时也是国内唯一一家产业化应用的集成电路SACVD设备厂商。
而中微半导体除在刻蚀设备深耕之外，在薄膜沉积设备领域也在强力攻关，持有拓荆科技11.2%股份。为与拓荆科技形成技术互补，中微半导体在薄膜沉积技术的布局将集中在单晶外延以及金属LPCVD两个方向，并大量募资投入HPCVD、LPCVD、EPI等设备的开发及工艺应用开发。
目前来看，单靠一个企业很难覆盖全部CVD设备，北方华创、拓荆科技、中微公司等国内厂商应各有侧重，全面布局，将有望实现国产设备在CVD设备的全覆盖，当然这还需要时间。
对于薄膜沉积设备的国产化之路，集微咨询（JW insights）认为，一方面半导体设备的国产化是一大系统工程，国内薄膜沉积设备厂商要从加强研发开始，因半导体制造设备行业是一个高技术壁垒、高资金壁垒和高市场壁垒等为特征的行业，研发周期长，前期需要持续的研发投入。而技术创造新兴事物的能力将是半导体设备企业平台化、国际化的源动力，技术差异化创新也将是本土半导体设备企业缩小与国际大品牌之间的差距，实现客户全球化的必经之路。
另一方面，半导体制造设备的验证壁垒高，从设备样机下线到最终交付客户要至少2年的时间，产业化周期长。因而这也需要代工厂在供应链环节，给予国内设计厂商更多的验证与试错机会，同时国内设备厂对于关键试错结果要能迅速改正及提高，只有反复多次，才能逐步满足量产要求。否则，成本很难降下来，质量也难以提升。
随着中芯国际、长江存储、粤芯等扩产将在2022年进一步加大幅度，士兰微、华虹华力、闻泰等持续扩产，2022年是本土晶圆厂将进行产能最大幅度扩张和制程技术持续提升的一年，是本土晶圆厂重塑行业格局、奠定行业地位的一年，因此本土半导体设备需求也将迎来边际变化较大的一年，国内在相对成熟设备PVD、PECVD等要着力寻求市占率的进一步大幅度的提高，在新设备领域寻求更多的验证机会。
同时，要注重的是当国内设备厂商占据足够的市场占有率之际，一定会面临专利纠纷。专利是国际半导体设备企业相互遵循的竞争准则，国内半导体设备厂商一定要培养专利意识，把控好专利特征度、创新性、有效性、合规稳定性，形成技术威慑力才能有助于更长远地发展。
此外，国外半导体设备巨头在行业深耕多年，已构筑了坚固的护城河，国内半导体制造设备企业目前还处于从0到1的突破阶段，部分环节处于从1到N的升级阶段，与国外巨头存在很大差距。因而，在适当时机通过并购等外延式成长途径扩大产品和市场覆盖对于处于攻坚阶段的国内薄膜设备厂商来说是十分必要的。
12月20日-21日，2021年第十六届“中国芯”集成电路产业促进大会暨“中国芯”优秀产品征集结果发布仪式在珠海举办。在21日同期举办的宽禁带半导体助力碳中和发展峰会上，英诺赛科科技有限公司（以下简称“英诺赛科”）副总经理王怀锋发表了《给绿色地球的一份礼物——GaN》的精彩演讲。
在本次峰会上，王怀锋指出，“工业革命至今已经历4次，我们正经历的是第四次工业革命——数字化。这次工业革命的显著特点就是人工智能、5G、智能驾驶、绿色能源等。”
在数字时代的世界里，我们用智能终端（端），通过高速通讯（管）以及数据中心（云）实现万物互联。与此同时，出现了新的应用场景，比如AI、大数据和数据处理中心，还有电动汽车和无人驾驶等。
王怀锋认为，“这些新应用场景的出现，将会使全球电力的需求急剧增长，到2030年全球电力需求比2020年增长50%以上。有电的地方就需要有电的转换，未来将需要更加多的功率器件来推动产业高质量发展。”
更值得关注的是，用电的大幅度的增加也将导致能耗的增加，这与碳达峰、碳中和等绿色生态的要求形成了较大的矛盾。
“在用电过程中减少电的损耗是我们减少二氧化碳排放的关键。在这方面，有多个方面数据显示，使用5G的能源消耗将会比4G高70%。据估计，在2025年全球数据中心的能耗将会占整个全球总能耗的18%，这是能耗的增长点。因此，在用电增长的情况下减少排放，意味着在电转换的过程中对损耗提出了非常高的要求。”王怀锋谈到。
数字时代产业的特点是绿色、高效、智能，因此，更高的电源效率、减少组件以节省电力损耗迫在眉睫。
王怀锋认为，在电的转换过程中功率器件的损耗完全是浪费的，硅功率器件达不到我们现在对环境碳排放的综合标准。而GaN材料具备的高开关频率、低导通电阻、小尺寸、多功能的材料优势，使得GaN功率器件获得更高的系统效率、更少的功率损耗、紧凑的外形和更简化的系统模块设计。GaN功率芯片性能大幅度的提高，同时能让系统体积大幅缩小，系统能耗大幅度降低，更利于碳减排。
此外，GaN的出现可能成倍地提升器件的性能，给产业应用带来非常大的系统优势。“功率器件是个通用的器件，在每个用电的地方都有功率芯片，只是形式存在不同。不同应用场景对功率器件的需求不一样，在消费、工业、汽车等不同的场景，GaN功率器件都能为产业提升贡献力量。”王怀锋表示。
在新机遇下，GaN的全球产业化竞争也正愈演愈烈。从2009年开始，首颗EPC 100V功率GaN FET面市至今，高低压GaN功率芯片出货量均达到千万级，产业化技术成熟，市场开始爆发，全球GaN主流企业随之崛起，英诺赛科就是这里面的佼佼者。
据王怀锋介绍，“英诺赛科2015年12月份成立，2017年11月在珠海通线年低压和高压的GaN器件量产出货。2021年是英诺赛科启航的元年，苏州的工厂通线投产，高低压芯片的出货量显著的增加，已突破4000万颗，规模化量产技术成熟。”
值得一提的是，英诺赛科采用IDM商业模式,集芯片设计，外延生长、芯片制造、可靠性与失效分析于一体的全产业链生产模式，采用8寸的硅基氮化镓，产品成本与价格具有绝对竞争优势；与此同时，英诺赛科还具备完善的可靠性和失效分析平台，产品更新迭代更快。此外，英诺赛科还是目前全球唯一拥有ASML光刻机先进制程的GaN企业，与全球主要竞争对象对比，优势显著。英诺赛科目前可以月产1万片8英寸的硅基氮化镓晶圆，电压范围可以覆盖30~650V。
新事物的出现，离不开事物的发展规律，即都是从非常容易接受的市场逐渐转向高端市场渗透。GaN也同样如此，随着产业化技术成熟，GaN功率器件目前形成了两大成熟生态。王怀锋指出，一个是快充，快充是GaN应用市场的先锋，快充市场是一个很成熟的市场，也是多家供应链共同竞争的领域。另一个是手机的OVP应用，目前英诺赛科氮化镓芯片产品已覆盖这两大生态市场范围。
除了这两大成熟的生态市场外，GaN重点聚焦的还包括数据中心电源、新能源汽车等应用场景。
在数据中心电源方面，GaN能解决大ASIC芯片的供电瓶颈，例如能有效满足数据中心高算力需求的GPU的供电电流需求已大于1000A。GaN高频优势，可以有实际效果的减少供电系统的面积，实效高功率密度供电。采用GaN的数据中心更节能，据测算，一台机柜每年节能等效于少排放8吨二氧化碳。以数据中心的耗电量占比18%来算，GaN对此贡献突出。
对于新能源汽车应用场景，王怀锋表示，GaN是激光雷达的刚需，Si和SiC都没办法解决它快速开关的要求。激光雷达是GaN进入汽车领域的第一个应用场景，此外GaN在车上的应用场景还包括DC-DC、车载充电机等。
王怀锋认为，GaN是绿色地球的一个礼物，它的发展起步，需要产业链一起努力，把GaN这棵小树培养成大树。
值得一提的是，在本次“中国芯”评选活动中，英诺赛科的高压GaN HEMT/INN650DA260A产品脱颖而出，荣获了中国芯“优秀技术创新产品”的称号。
12月15日上午，科技部高技术中心重大专项项目主管王元原、北京大学信息科学技术学院副院长、国家言语听觉研究中心主任吴玺宏教授及相关专家组成的专家组一行视察了北京探境科技有限公司。
在探境科技，专家组认真听取了公司CEO鲁勇的汇报，饶有兴致地观看了探境科技智能语音产品的现场演示，并同探境公司相关负责人进行亲切的座谈。
鲁勇首先介绍了探境科技在语音技术进展、落地应用、未来发展规划等三个方面的工作，全面汇报了探境科技的发展情况。
在听取汇报过程中，专家组不时就感兴趣的问题与探境公司做交流，当听到探境科技凭借先进的端侧语音技术，在短短几年内已落地灯具、电工、空调、小家电、厨卫等多个场景时，对探境的研发技术方向及所取得的成绩给予了充分肯定。
科技部高技术中心重大专项项目主管王元原指出：语音产业具有巨大的发展的潜在能力，广阔的应用前景，需要企业积极主动地进行深入调研、挖掘用户真实需求，进而开拓和引领市场，从这个意义上说，探境的端侧语音技术能够将家电产品快速智能化，同时降低用户的使用门槛，更贴近消费者，具备做大做强的潜力。王元原就探境科技的人才队伍、研究方向、项目重点等方面做了深入交流并提出建设性意见。
北京大学信息科学技术学院副院长吴玺宏也对探境科技的语音方案及市场战略给予了高度肯定，并与鲁勇在语音技术未来发展趋势及落地场景上进行了深入探讨。吴玺宏表示，做智能不能偏离用户，探境科技通过本地化、低成本的语音方案快速部署方案帮助传统家电产品实现智能化，这样的技术落地方向大有可为。
专家组还观看了探境科技的相关这类的产品演示，并对探境的发展前途寄予厚望，希望探境科技在未来的研发中，继续坚持可以在一定程度上完成家电企业快速部署的低成本智能化方案，与社会经济及行业发展紧密结合，努力为我国家电行业的智能化、规模化探索出更好的发展路径。
近日，苏州高新区集成电路产业，不少企业连连喜讯，先后获奖、开业、上市……刮起了一阵强劲的发展之风
12月18日，2022第三届半导体投资联盟年会暨中国IC风云颁奖典礼在北京落幕，打造了优质的中国半导体行业顶级“朋友圈”。此次会议共颁布15个奖项，涉及高新区的企业有两家，其中，昇显微电子（苏州）有限公司获得年度新锐公司奖，沈阳和研科技有限公司获得年度市场突破奖。
公司成立于2018 年，总部在苏州高新区，同时在台湾设立了研发分部，致力于AMOLED显示屏幕的驱动芯片产品研究开发，市场面向智能手机、智能手表、笔记本及平板等消费类产品，目前公司多款AMOLED手机驱动芯片已经大规模量产。
和研科技成立于2011年1月，专门干精密划片机研发、制造、销售与服务。公司总部在沈阳。今年12月14日，和研科技与苏州高新区签约，在高新区设立华东总部及研发中心，并成立苏州和研精密科技有限公司。
公司2021年的基本的产品DS9260型全自动晶圆划片机在国内封测头部公司开始大批量导入，用于12英寸晶圆划片制程，成为第一家取代日本进口厂商在Wafer saw领域大批量量产使用的划片机品牌，实现了此领域的国产替代。
此外，在12月20日的2021年第十六届“中国芯”集成电路产业促进大会中，苏州国芯科技股份有限公司荣获“优秀支撑服务企业”及“芯火新锐产品”两项殊荣。
“高新区拥有丰厚的产业基础和优越的营商环境，硅谷数模的快速地发展离不开高新区政府的支持和帮助。在高新区这块‘福地’上，硅谷数模深度布局芯片产业，未来将实现跨越式发展。”12月16日，在硅谷数模（苏州）半导体有限公司二期开业典礼上，硅谷数模CEO李旭东在致辞中这样表示。
作为全球领先的半导体设计企业，硅谷数模在高清显示信号处理芯片以及高速传输芯片研发领域具有全球领导地位。据悉，公司二期入驻苏州集成电路产业中心后，将获得更为快速的发展。
硅谷数模是专注于高速信号连接、高清显示信号处理芯片产品的集成电路半导体企业，也是全球高清显示技术标准的主要制定者之一，向全球一线消费电子及显示屏客户供应芯片产品，包括京东方、华星光电、三星、 LG、微软、谷歌、苹果、戴尔、惠普、联想等。
2019年5月，硅谷数模全球总部落户苏州高新区。目前，公司以苏州为全球总部，拥有核心芯片研发技术团队约120人，计划2022年发展到近200人的规模。2021年全年预计芯片销售超1亿颗，全球销售规模预计约9000万美元，年增长率约35%。
12月7日，证监会发布信息，批准高新区企业苏州国芯科技股份有限公司在科创板首次公开发行股票注册。
国芯科技是一家聚焦于国产自主可控嵌入式CPU研发技术和产业化应用的芯片设计企业，拥有多项核心技术和知识产权，主营业务之一是提供自主CPU IP授权和芯片定制服务。目前，国芯科技已开发了8个系列40多款CPU内核，拥有14nm工艺芯片设计和流片经验，以及40nm-eFlash工艺芯片设计和大规模量产经验。
截至今年6月，该公司累计为超过90家客户提供超过130次的CPU IP授权，累计为超过70家客户提供超过140次的芯片定制服务，量产数量达到数亿颗，是国产嵌入式CPU研发技术与产业化应用的有突出贡献的公司之一。
一直以来，高新区全力支持企业上市发展，先后出台了《苏州高新区关于鼓励企业科创板上市的若干意见》《上市企业倍增三年行动计划》等政策，引入长三角长期资金市场服务基地苏州分中心、深交所苏南科技金融路演中心等优势平台，规划建设了上交所战略新兴起的产业培育基地、全国中小企业股份转让系统江苏基地等一批金融载体，持续壮大长期资金市场的“高新板块”。
公司成立于2012年，专注于高功率半导体激光器芯片、高效率半导体VCSEL芯片、高速光通信半导体激光芯片、器件和系统的研发、生产及销售。公司目前已建成从芯片设计到封装测试、光纤耦合等完整的工艺平台和量产线，是全球少数几家研发和量产高功率半导体激光器芯片的公司。
值得一提的是，12月2日，江苏省科技厅公示了2021年度江苏省科技奖，高新区共获得一等奖4项、二等奖3项，三等奖1项。其中，苏州长光华芯光电技术股份有限公司、苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司的项目“高亮度长寿命高功率半导体激光芯片关键技术及产业化”获一等奖。
2018年3月，苏州高新区与苏州长光华芯签约成立苏州长光华芯半导体研究院，致力成为国内最大的半导体激光器“芯片”生产厂商。协议双方共总投资5亿元，项目总建筑面积12980平方米。目前，该项目已完成验收，未来，将吸引全球顶尖人才加盟，拓展激光3D传感芯片、高速光通信芯片等领域，全面打造中国激光芯。
普源精电自成立以来专注于通用电子测量仪器领域的前沿技术开发与突破，以通用电子测量仪器的研发、生产和销售为主体业务，基本的产品包括数字示波器、射频类仪器、波形发生器、电源及电子负载、万用表及数据采集器等，是目前唯一搭载自主研发数字示波器核心芯片组并成功实现产品产业化的中国企业。
截至目前，普源精电已有授权专利368项，其中发明专利334项，其中示波器领域的中国授权专利数量居于行业前列，并在2019年荣登中国企业专利500强。
作为苏州高新区“2+6+X”重点布局的新兴起的产业之一，近年来，高新区集成电路产业高质量发展迅速，区内集聚了一批国内外科研院所、研发机构以及重点企业。
为大力支持集成电路产业发展，高新区专门成立了集成电路产业发展公司，组建专业团队、建设专门载体、搭建产业公共服务平台，高效承接优秀集成电路项目。
●目前，苏州高新区已集聚恩智浦、固锝电子、国芯科技、长光华芯、贝克微电子、华芯微电子、合芯科技、硅谷数模、微五科技、安必轩微电子、矽兴科技、锐杰微科技等一批行业领军企业。
●先后打造了苏州市集成电路创新中心、和枫产业园、新一代信息技术产业园、苏高新软件园等多家聚焦集成电路相关领域的产业园区，总建筑面积超过140 万平方米，围绕“产城融合”“双创社区”等概念，为入园公司可以提供创业孵化、股权投资、公共服务平台等涵盖企业成长周期全产业链的一站式服务，着力为高新区集成电路产业高质量发展提供肥沃土壤。
据笔者观察，近两年来，随只能手机市场日趋疲软陷入存量竞争状态，以及半导体站上风口浪尖，不少原手机产业链设备厂商纷纷进军半导体设备领域，最明显的就是进军封测设备市场，诸如大族激光、劲拓股份、深科达、智云股份等。
近来，据臭氧设备厂商国林科技在接受机构调研时表示，公司已进军半导体清理洗涤设施市场。
据国林科技介绍，公司专门干臭氧产生机理研究、臭氧设备设计与制造、臭氧应用工程方案设计与臭氧系统设施安装、调试、运营及维护。基本的产品以大型臭氧发生器为主，应用领域包括市政自来水、市政污水、印染和化工废水、工业氧化、烟气脱硝、工业覆膜、泳池、食品加工空间等；公司新疆乙醛酸项目预计明年上半年实现投产，该项目是公司臭氧产品下游应用领域的延伸；公司半导体项目目前正在进行样机测试，建设实验室和洁净室，并于近日成立了子公司青岛国林半导体技术有限公司负责项目的推进和运营，地址位于青岛市崂山区。
国林科技表示，公司进入半导体清洗领域其实还是在臭氧设备应用领域的延伸。公司专门干臭氧产生机理研究，公司前期的应用领域比如市政自来水、工业废水、烟气脱硝等属于工业领域，而半导体清洗属于是新兴领域、细致划分领域，半导体清理洗涤设施的核心是臭氧清洗系统包括高浓度臭氧水机和高浓度臭氧清洗机，技术核心仍是臭氧。
其强调：“公司在约五六年前接触到半导体专用臭氧设备，公司认为在未来是一个比较好的发展契机，所以当时就开始了研发的技术积累和铺垫，致力于实现进口替代。”
此前其还称：“随着近年来半导体行业的加快速度进行发展，国产化率将慢慢地提高，目前公司已掌握了半导体行业用臭氧清理洗涤设施制造及设计工艺多项关键技术。”
据国林科技介绍，依据公司了解到的信息来看，目前全球半导体清理洗涤设施的市场规模约为30亿美元，国内大约为7-9亿美元，每年的复合增长率近30%。目前整个半导体的清理洗涤设施高端市场主要是被日美韩等国的企业瓜分，国内半导体厂商占比不到5%，而国内这些厂商的半导体清理洗涤设施的核心设备——“高浓度臭氧发生器”市场主要由美国MKS及德国安索罗斯等国外厂商占据，MKS去年在国内的销售额约为17亿人民币。未来半导体清理洗涤设施市场以及整个半导体清洗行业市场空间是非常大的。
国林科技还表示：“公司目前对标MKS公司，主要做半导体清理洗涤设施的核心部分臭氧清理洗涤设施，未来希望可以做整套半导体清理洗涤设施，打造自己独立的品牌，打破国外垄断，做中国自己的半导体清洗系统。除半导体清理洗涤设施外，公司也积极地推进在泛半导体行业的布局，公司相信在明年上半年会有实质性的进展。公司跟很多企业都有过接触，目前正积极与相关公司进行交流和联系。未来公司将根据真实的情况制定相应的战略规划。”
据悉，目前该公司正在进行样机测试，建设实验室和洁净室，并于最近成立了子公司青岛国林半导体技术有限公司负责半导体项目的推进和运营，地址位于青岛市崂山区，公司样机产品需要做2000小时稳定运行试验，然后送到国家检测中心，最后再与客户做运行测验。公司正积极组建半导体研发生产团队，在全世界内招募专业人才，采用内部培养和外部招聘结合的方式，加大资源投入，积极地推进人才队伍建设。
据泉城海关统计，2021年前11个月济南市外贸进出口总值1741.2亿元人民币，同比（下同）增长37.3%。其中，出口1033.6亿元，增长50.7%；进口707.6亿元，增长21.5%；外贸顺差326亿元，同比扩大214.7%。
前11个月，济南市出口机电产品582.3亿元，增长57.2%；济南市进口机电产品360亿元，增长11.1%。其中，济南市进口集成电路66亿元，下降28.4%。
12月21日晚间，空港股份公告，企业决定终止收购瑞能半导体科技股份有限公司的控股权或全部股权事项。公司股票将于12月22日（星期三）开市起复牌。
12月14日晚间，空港股份披露筹划重大资产重组停牌的公告，公司拟通过发行股份方式收购瑞能半导部分或全部股权。与此同时，公司拟将现有的建筑工程项目施工等业务资产剥离。本次交易，将构成重大资产重组，也构成重组上市。
备受关注的是本次借壳主体瑞能半导，其去年曾筹划科创板IPO，令人意外的是，突然在今年6月主动撤回IPO上市申请。
公开资料显示，空港股份成立于2000年3月，由北京空港经济开发有限公司为主发起人，联合北京顺鑫农业股份有限公司、深圳市空港工贸发展有限公司、北京华大基因研究中心和北京空港广远金属材料有限公司四家法人单位共同发起设立。2004年3月18日，成立4年后，公司在上交所挂牌上市。
作为临空型园区类上市公司，空港股份立足北京临空经济核心区，以园区开发建设为主营业务，形成了包括工业地产开发、建筑工程项目施工、物业租赁和管理业务在内的园区开发建设产业链。
具体而言，目前，公司主要营业业务有三大板块，即工业地产开发业务、建筑工程项目施工业务、物业租赁和管理业务。
但是，2013年开始，空港股份扣除非经常性损益的净利润（简称扣非净利润）持续下滑，2013年为0.72亿元，同比下降0.74%。2014年至2017年，其扣非净利润分别为0.40亿元、0.13亿元、0.13亿元、0.13亿元，同比分别下降44.59%、67.62%、0.85%、1.56%。2018年至2020年，公司扣非净利润分别为-0.01亿元、-0.30亿元、-0.63亿元，均为亏损，且逐年扩大。
而瑞能半导方面，之前两次IPO折戟，从之前的交易来看，本次重组是一次典型的借壳上市交易。
公开资料显示，瑞能半导体源自于恩智浦（NXP）公司的双极性功率晶体管产品线及研发等业务板块，核心产品是半导体分立器件，包括可控硅整流器、功率二极管、高压晶体管、碳化硅等。2015年，建广资产通过其管理的3家基金与恩智浦共同成立合资公司瑞能半导体，将恩智浦该业务板块置入瑞能半导体。2019年，恩智浦退出瑞能半导体股东阵营。
2020年，瑞能半导体启动科创板IPO征程，但上市之路坎坷：其在2020年12月底终止上市后，又于2021年3月重新获得上市申请审核，但最终于2021年6月再次终止IPO申请。如果本次与空港股份重组交易顺利完成，瑞能半导体将以借壳方式进入A股市场。
科技部：锚定2035年建成科技强国的战略目标 加快形成贯彻落实全国科技大会部署重点任务的具体举措
